应用频道

NPU成为边缘智能新思路

发布日期：2024-07-03 538 次

在人工智能（AI）技术日新月异的今天，从云端到边缘的计算需求不断攀升，为各行各业带来了前所未有的变革机遇。作为这一领域的领军者，Arm 公司凭借其卓越的节能技术和从云到边缘的广泛布局，正逐步构建着未来AI生态的基础。其中，Arm Ethos U85NPU（神经网络处理器）的推出，更是为边缘智能的发展注入了强劲动力，开
适用于5G毫米波天线封装应用的双频双极化平面天线

发布日期：2024-07-03 1515 次

本文介绍了一种双频双极化天线，工作频率范围为 24 至 40 GHz，工作频率范围为 5G 新无线电（NR）毫米波（mm-Wave）频率范围 2 （FR2）。该文提出一种新颖的环形贴片堆叠排列方式，以实现宽双频段工作和稳定的增益。在较低（24.25–29.5 GHz）和较高（37–40 GHz） FR2 频段工作的两对堆叠环形贴片交替集成在四个金属
6G URLLC的愿景

发布日期：2024-07-03 733 次

6G通信的出现预示着一个充满可能性的新时代，使交通检测、森林火灾识别、紧急搜索和救援以及广泛的通信广播等关键应用成为可能。然而，6G的与众不同之处在于它对具有超低延迟的强大通信框架的需求，这一功能将彻底改变这些服务。从5G到6GURLLC的演进代表了连接可能性的飞跃，并有望在未来几年重塑行业和技术。虽然 5G
Wi-Fi和蓝牙技术驱动智能家居与物联网应用发展

发布日期：2024-07-03 706 次

近年来，Wi-Fi和蓝牙是加速智能家居和物联网设备采用的两项关键技术。Wi-Fi技术以其高速的传输速率和宽广的覆盖范围而闻名，为智能家居中的多种设备提供了稳定的连接方式，而蓝牙技术则以其低能耗和短距离通信的特点，适用于连接智能手机、穿戴式设备以及一些小型传感器和健康跟踪器等设备。本文将为您探讨Wi-Fi和蓝牙技术在
美国等掏空韩国半导体人才三星和SK海力士成重灾区

发布日期：2024-07-03 429 次

6月30日消息，据媒体报道，全球半导体产业的人才争夺战愈演愈烈，韩国作为半导体制造强国，正面临前所未有的人才流失危机。近年来，随着AI服务器等高性能计算系统的兴起，对半导体技术人才的需求急剧增加，而美国等地区对芯片制造业的大力发展，导致韩国半导体人才被大量挖角，其中，三星电子和SK海力士成为了重灾区。据韩国
星间链路技术趋势分析及我国发展展望

发布日期：2024-07-03 916 次

2024年5月9日，我国首颗中轨宽带通信卫星智慧天网一号01星发射，未来将通过星间双向激光链路实现星座灵活组网，提供全球覆盖宽带网络服务。美国Starlink则在其V1.5和V2.0低轨卫星部署超9000个空间激光器，星间数据传输吞吐量达到5.6Tbps，每日传输总量超过42PB。在以低延迟、低成本为特色的中低轨星座组网需求推动下，星间链
东京电子豪掷1.5万亿日元目标全球第一半导体设备制造商

发布日期：2024-07-03 429 次

7月1日消息，据媒体报道，日本东京电子（TEL）近日宣布将在2025至2029财年期间投资1.5万亿日元（约合679.83亿元人民币），并计划招募一万名新员工。这一投资额是上个五年周期的1.8倍，目标就是成为全球最大的半导体设备制造商。东京电子目前是世界第四大半导体设备制造商，仅次于荷兰的阿斯麦（ASML）、美国的应用材料公司和
华为联合中国电信发布5G-A超级空地融合创新方案

发布日期：2024-07-03 587 次

6月30日消息，近日在上海MWC期间，华为联合中国电信举办5G-A“超级空地融合”创新技术发布会，共同推出了一系列基于高频的创新技术方案，是构筑一张高可靠、高精度的面向低空经济诉求的网络的关键技术突破。6月18日，3GPP宣布5G-A标准首个版本正式冻结，标志着5G-A商用元年的开启。与5G相比，5G-A在上下行速率、低时延、大连
中国移动发布首颗5G Redcap蜂窝物联网通信芯片峰值速度170兆

发布日期：2024-07-03 646 次

7月1日消息，中国移动旗下芯片公司中移芯昇发布了其首颗5G Redcap蜂窝物联网通信芯片“CM9610”，专门为低功耗5G物联网设备量身打造。该芯片的特点一是5G全网通，符合3GPP 5G R17协议标准，兼容5G NR、4G LTE网络，支持n1、n3、n28、n41、n79等全球主流5G频段，并继承了5G eMBB uRLLC、网络切片、5G LAN等关键能力，下行、上
中国移动发布安全MCU芯片CM32M435R

发布日期：2024-07-03 620 次

7月1日消息，近日，中国移动旗下的中移芯昇发布了一款大容量低功耗+PUF+物理防侧信道攻击的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40纳米功耗工艺，基于业界领先的高性能32位RISC-V内核，综合性能达到国内领先水平。它有三个主要特点：一是高安全。双核设计，安全子系统由安全内核独立控制，具备更高安全等级。同时支持物理防克隆P

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